?
文章列表
联系我们 产品咨询

联系人:吴海丽
电话:0755-2349 0212
手机:157-1205-5037
邮箱:tel-sherry@foxmail.com
地址:广东省深圳市龙华新区民治街道向南四区松花大厦
联系我们快恢复二极管报价选型

??>>您当前位置:海飞乐技术有限公司 > 技术支持 >

IXFN66N50Q2应用参数及替换

作者:海飞乐技术 时间:2020-12-21 14:19

  IXFN66N50Q2是IXYS 500V/66A高压MOSFETim电子竞技投注im电子竞技投注,SOT-227封装im电子竞技投注。主要应用于高压AC DC电源,直流斩波,脉冲发生器等,产品具有高功率密度及易于安装的优点im电子竞技投注im电子竞技投注,使整机的机械结构紧凑im电子竞技投注、简化im电子竞技投注、体积缩小im电子竞技投注、重量减轻im电子竞技投注、节电im电子竞技投注im电子竞技投注im电子竞技投注、节材、可靠性提高。
 
IXFN66N50Q2特性
低栅电阻的双金属工艺
用氮化铝隔离
无箝位感应开关(UIS)额定值
低封装电感
快速本征整流器
 
IXFN66N50Q2应用
DC-DC转换器
开关模式和谐振模式电源
直流斩波器
脉冲发生器
 
MOSFET场效应管IXFN66N50Q2技术参数资料
制造商:IXYS
Vgs -栅极-源极电压:-±30 V
安装风格:Chassis Mount
封装/箱体:SOT-227-4
工作温度范围:- 55℃~+ 150℃
尺寸:9.6 mmx38.2 mmx25.07 mm
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
下降时间:12 ns
Id-连续漏极电流:66 A
Pd-功率耗散:735 W
Rds On-漏源导通电阻:74 mOhms
上升时间:16 ns
典型关闭延迟时间:60ns
典型接通延迟时间:32ns
Vds-漏源极击穿电压:500 V
单位重量:30 g
 
IXFN66N50Q2特性曲线图

IXFN66N50Q2特性曲线图 
 
海飞乐技术500V 66A功率MOSFET膇m电子竞技投注im电子竞技投注?椴问?/strong>
海飞乐技术500V 66A功率MOSFET膇m电子竞技投注?椴问? src= 
 
IXFN66N50Q2替换资料
  海飞乐技术500V 66A功率MOSFET膇m电子竞技投注im电子竞技投注?榭赏昝捞婊籌XFN66N50Q2im电子竞技投注,我司产品采用台湾芯片及先进的工艺技术封装im电子竞技投注,为您提供优质、高效的可完全替换产品im电子竞技投注im电子竞技投注im电子竞技投注,和国外进口产品相比im电子竞技投注im电子竞技投注im电子竞技投注,我司的该款产品具有货期短、性价比高等优点。我们期待您的咨询与合作im电子竞技投注!
 




上一篇:IRF6645TR1PBF现货参数应用及PDF资料下载
下一篇:IRS2092STRPBF现货参数应用及PDF资料下载

im电子竞技投注