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东芝SiC肖特基二极管特性与应用

作者:海飞乐技术 时间:2017-03-28 17:55

   碳化硅(Silicon carbideim电子竞技投注,化学式SiC)俗称金刚砂im电子竞技投注,宝石名称钻髓,为硅与碳相键结而成的陶瓷状化合物,碳化硅在大自然以莫桑石这种稀罕的矿物的形式存在im电子竞技投注。自1893年起碳化硅粉末被大量用作磨料im电子竞技投注。将碳化硅粉末烧结可得到坚硬的陶瓷状碳化硅颗粒im电子竞技投注,并可将之用于诸如汽车刹车片im电子竞技投注im电子竞技投注、离合器和防弹背心等需要高耐用度的材料中,在诸如发光二极管、早期的无线电探测器之类的电子器件制造中也有使用im电子竞技投注。如今碳化硅被广泛用于制造高温im电子竞技投注im电子竞技投注im电子竞技投注、高压半导体中im电子竞技投注im电子竞技投注。
 
   虽然有很多关于碳化硅制造史的传闻,但是真正实现碳化硅的大量制备还是在1890年由爱德华•古德里奇•艾奇逊逊率先实现的im电子竞技投注,到现在SiC已发展成为主要的宽带隙半导体材料之一,成为当前半导体研究领域的前沿和热点im电子竞技投注。
 
SiC材料特性中最具吸引力的方面有:
 
  宽带隙im电子竞技投注im电子竞技投注im电子竞技投注,不同聚合物可以高达(3~3.3)eVim电子竞技投注;
  高的雪崩临界击穿电场im电子竞技投注,(2.5~5)MV / cm;
  高热导率im电子竞技投注,(3~4.9)W / cm•K
  高工作温度(高达1000 ℃)
  高化学稳定性和抗辐照特性
 
  作为电子材料im电子竞技投注im电子竞技投注,SiC介电常数仅高于金刚石,在高频器件中具有很大潜力;SiC具有较高的击穿场强和热导率im电子竞技投注,在高温大功率领域中具有广阔的前景im电子竞技投注im电子竞技投注im电子竞技投注。
 
  SiC肖特基二极管特性
 
   肖特基二极管是结构最简单的SiC电子器件,考虑反向击穿电压和通电电阻率的两项重要器件参数im电子竞技投注,SiC明显优于Si和GaAs肖特基二极管im电子竞技投注。
 
   SiC肖特基二极管作为一种低功耗im电子竞技投注、超高速半导体器件,其最显著的特点为:
 
   正向压降低im电子竞技投注,约只有一般硅二极管的一半
   反向恢复时间小im电子竞技投注,比超快速恢复管还要小得多
 
   非常适合替代硅材料快速恢复二极管(FRD)的应用im电子竞技投注,以提高电源效率,此外im电子竞技投注,还多用作高频im电子竞技投注、低压im电子竞技投注、大电流整流二极管、续流二极管im电子竞技投注、眎m电子竞技投注;ざ?,以及微波通信等电路中作整流二极管im电子竞技投注im电子竞技投注、小信号检波二极管im电子竞技投注。 
 
东芝SiC肖特基二极管产品
 
东芝提出SiC-SBD(碳化硅肖特基二极管)和IEGT组成混合型器件的解决方案,此方案结合了全SiC器件低导通电阻和低开关损耗特性,可以使整个设备系统更高效节能,更轻小型化im电子竞技投注im电子竞技投注im电子竞技投注im电子竞技投注。
东芝提出SiC-SBD(碳化硅肖特基二极管)和IEGT组成混合型器件的解决方案
下表是东芝为客户提供SiC肖特基二极管产品阵容:
 
 



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