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N沟道增强型69A/250V MOSFET

作者:海飞乐技术 时间:2020-11-11 17:35

N沟道增强型69A/250V MOSFET 
  海飞乐技术69N25A47是采用自对准平面技术的硅N沟道增强型VDMOSFETim电子竞技投注,它可以降低导通损耗im电子竞技投注im电子竞技投注,改善开关性能,提高雪崩能量im电子竞技投注im电子竞技投注im电子竞技投注im电子竞技投注。该晶体管可用于各种功率开关电路im电子竞技投注,使系统小型化,效率更高im电子竞技投注。包装形式为TO-247,符合RoHS标准im电子竞技投注im电子竞技投注。
 
69N25A47
快速开关
低导通电阻(≤41m?)
低栅极电荷 (150nC)
低反向传输电容(290pF)
100%单脉冲雪崩能量测试
 
69N25A47应用:
电源开关电路
工业电源
通信电源
 
N沟道增强型69A/250V MOSFET绝对值参数
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N沟道增强型69A/250V MOSFET电参数
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N沟道增强型69A/250V MOSFET特性曲线图
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  海飞乐技术MOSFET采用台湾芯片及先进的工艺技术封装im电子竞技投注,为您提供优质im电子竞技投注im电子竞技投注、高效的产品,和国外产品相比im电子竞技投注,我司的该款产品具有高品质im电子竞技投注、货期短、性价比高等优点。更多相关产品资料请联系我司客服im电子竞技投注im电子竞技投注im电子竞技投注,我们期待您的咨询与合作im电子竞技投注!




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