?
文章列表
联系我们 产品咨询

联系人:吴海丽
电话:0755-2349 0212
手机:157-1205-5037
邮箱:tel-sherry@foxmail.com
地址:广东省深圳市龙华新区民治街道向南四区松花大厦
联系我们快恢复二极管报价选型

??>>您当前位置:海飞乐技术有限公司 > 产品中心 >

N沟道增强型18A/200V MOSFET

作者:海飞乐技术 时间:2020-10-21 11:16

N沟道增强型18A/200V MOSFET 
  海飞乐技术18N20A4是采用自对准平面技术的硅N沟道增强型VDMOSFETim电子竞技投注,它可以降低导通损耗im电子竞技投注im电子竞技投注,改善开关性能,提高雪崩能量im电子竞技投注im电子竞技投注im电子竞技投注。该晶体管可用于各种功率开关电路im电子竞技投注im电子竞技投注,使系统小型化im电子竞技投注,效率更高im电子竞技投注。包装形式为TO-252im电子竞技投注,符合RoHS标准im电子竞技投注im电子竞技投注im电子竞技投注im电子竞技投注。
 
18N20A4
快速开关
低导通电阻(Rdson≤0.12Ω)
低栅极电荷(24nC)
低反向传输电容(25pF)
100%单脉冲雪崩能量测试
 
18N20A4应用:
逆变器
去频闪
通信电源
PC电源开关电路
 
N沟道增强型18A/200V MOSFET绝对值参数
N沟道增强型18A/200V MOSFET绝对值参数 
 
N沟道增强型18A/200V MOSFET电参数
N沟道增强型18A/200V MOSFET电参数 
 
N沟道增强型18A/200V MOSFET特性曲线图
N沟道增强型18A/200V MOSFET特性曲线图 
 
 
  海飞乐技术MOSFET采用台湾芯片及先进的工艺技术封装im电子竞技投注,为您提供优质、高效的产品im电子竞技投注,和国外产品相比im电子竞技投注,我司的该款产品具有高品质im电子竞技投注、货期短im电子竞技投注、性价比高等优点im电子竞技投注im电子竞技投注。更多相关产品资料请联系我司客服im电子竞技投注,我们期待您的咨询与合作im电子竞技投注!




上一篇:N沟道增强型44A/1000V MOSFET
下一篇:N沟道增强型69A/250V MOSFET

im电子竞技投注