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N沟道增强型6A/1700V高压MOSFET

作者:海飞乐技术 时间:2020-09-14 09:52

N沟道增强型6A/1700V高压MOSFET 
  海飞乐6N170AHF,硅N沟道增强型6A/1700V高压MOSFETim电子竞技投注,采用自对准平面技术im电子竞技投注,具有开关速度高im电子竞技投注、功耗低im电子竞技投注im电子竞技投注、热稳定性好im电子竞技投注、工艺简单等特点im电子竞技投注im电子竞技投注m电子竞技投注im电子竞技投注?捎糜诟髦止β士氐缏?im电子竞技投注,开关电源im电子竞技投注im电子竞技投注im电子竞技投注、驱动马达im电子竞技投注、家用电器等领域。使系统小型化im电子竞技投注im电子竞技投注,效率更高im电子竞技投注。包装形式为TO-3PHim电子竞技投注im电子竞技投注,符合RoHS标准。
 
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6N170AHF绝对值参数
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N沟道增强型6A/1700V高压MOSFET参数
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N沟道增强型6A/1700V高压MOSFET特性曲线图
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功率MOSFET驱动电路
  功率MOSFET是电压型驱动器件im电子竞技投注,没有少数载流子的存贮效应,输入阻抗高,因而开关速度可以很高im电子竞技投注im电子竞技投注,驱动功率小,电路简单im电子竞技投注。但功率MOSFET的极间电容较大im电子竞技投注im电子竞技投注,输入电容CISSim电子竞技投注、输出电容COSS和反馈电容CRSS与极间电容的关系可表述为:
  功率MOSFET的栅极输入端相当于一个容性网络,它的工作速度与驱动源内阻抗有关im电子竞技投注。由于 CISS的存在im电子竞技投注im电子竞技投注,静态时栅极驱动电流几乎为零im电子竞技投注im电子竞技投注,但在开通和关断动态过程中im电子竞技投注,仍需要一定的驱动电流im电子竞技投注。假定开关管饱和导通需要的栅极电压值为VGSim电子竞技投注im电子竞技投注im电子竞技投注im电子竞技投注,开关管的 开通时间TON包括开通延迟时间TD和上升时间TR两部分im电子竞技投注。
  开关管关断过程中,CISS通过ROFF放电,COSS由RL充电,COSS较大im电子竞技投注im电子竞技投注,VDS(T)上升较慢,随着VDS(T)上升较慢im电子竞技投注,随着VDS(T)的升高COSS迅速减小至接近于零时,VDS(T)再迅速上升。
  根据以上对功率MOSFET特性的分析,其驱动通常要求:触发脉冲要具有足够快的上升和下降速度;②开通时以低电阻力栅极电容充电,关断时为栅极提供低 电阻放电回路im电子竞技投注im电子竞技投注im电子竞技投注im电子竞技投注,以提高功率MOSFET的开关速度im电子竞技投注;③为了使功率MOSFET可靠触发导通,触发脉冲电压应高于管子的开启电压im电子竞技投注,为了防止误导通im电子竞技投注im电子竞技投注,在其截止 时应提供负的栅源电压im电子竞技投注im电子竞技投注im电子竞技投注;④功率开关管开关时所需驱动电流为栅极电容的充放电电流im电子竞技投注im电子竞技投注,功率管极间电容越大im电子竞技投注im电子竞技投注,所需电流越大im电子竞技投注,即带负载能力越大im电子竞技投注im电子竞技投注。
 
 
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