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N沟道增强型3A/1700V高压MOSFET

作者:海飞乐技术 时间:2020-09-14 09:50

1700V高压MOSFET 
  海飞乐3N170FA9,硅N沟道增强型3A/1700V高压MOSFETim电子竞技投注im电子竞技投注,采用自对准平面技术im电子竞技投注im电子竞技投注,降低导通损耗im电子竞技投注,改善开关性能,提高雪崩能量,具有开关速度高、功耗低im电子竞技投注、热稳定性好im电子竞技投注im电子竞技投注、工艺简单等特点。该MOSFET管可用于各种功率开关电路,开关电源im电子竞技投注、驱动马达im电子竞技投注、家用电器等领域im电子竞技投注。使系统小型化im电子竞技投注,效率更高im电子竞技投注im电子竞技投注im电子竞技投注。包装形式为TO-220F,符合RoHS标准。
 
3N170FA9
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低导通电阻
门控电荷低im电子竞技投注im电子竞技投注,开关损耗小
快恢复体二极管
100%单脉冲雪崩能量试验
 
3N170FA9应用:
适配器
充电器
SMPS备用电源
 
3N170FA9绝对值参数
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N沟道增强型3A/1700V高压MOSFET参数
N沟道增强型3A/1700V高压MOSFET电参数 
 
N沟道增强型3A/1700V高压MOSFET特性曲线图
N沟道增强型3A/1700V高压MOSFET特性曲线图 
 
使用MOSFET注意事项
  MOSFET在关断瞬间im电子竞技投注im电子竞技投注,会承受到最大的电压冲击im电子竞技投注,这个最大电压跟负载有很大关系:如果是阻性负载im电子竞技投注,那就是来自VCC端的电压im电子竞技投注,但还需要考虑电源本身的质量im电子竞技投注im电子竞技投注,如果电源质量不佳im电子竞技投注,需要在前级加些必要的?;ご胧?;如果是感性负载im电子竞技投注,那承受的电压会大不少im电子竞技投注im电子竞技投注im电子竞技投注im电子竞技投注,因为电感在关断瞬间会产生感生电动势(电磁感应定律),其方向与VCC方向相同(楞次定律)im电子竞技投注,承受的最大电压为VCC与感生电动势之和;如果是变压器负载的话,在感性负载基础上还需要再加上漏感引起的感应电动势。
 
 
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